DDR2 (Double Data Rate 2) SDRAM adalah piawai teknologi memori generasi baru yang dikembangkan oleh JEDEC (Jawatankuasa Kejuruteraan Peralatan Elektronik Bersama). Perbezaan terbesar antara ia dan standard teknologi memori DDR generasi sebelumnya adalah bahawa walaupun yang sama menggunakan jam naik / Kaedah asas penghantaran data ketika jatuh tertunda, tetapi memori DDR2 mempunyai dua kali kapasiti pra-baca dari memori DDR generasi sebelumnya ( iaitu: data 4bit dibaca sebelum pengambilan). Dengan kata lain, memori DDR2 dapat membaca / menulis data pada 4 kali kelajuan bas luaran setiap jam, dan dapat berjalan pada 4 kali kecepatan bus kawalan dalaman.
1. Prinsip asas:
Berbanding dengan DDR, peningkatan utama DDR2 adalah ia dapat memberikan dua kali lebar jalur memori DDR apabila kelajuan modul memori sama. Ini dicapai terutamanya melalui penggunaan dua teras DRAM yang cekap pada setiap peranti. Sebaliknya, memori DDR hanya dapat menggunakan satu teras DRAM pada setiap peranti. Secara teknikal, masih ada satu teras DRAM pada memori DDR2, tetapi dapat diakses secara selari, memproses 4 data dan bukannya dua di setiap akses.
Dikombinasikan dengan penyangga data yang berjalan pada kelajuan ganda, memori DDR2 dapat memproses hingga 4 bit data dalam setiap putaran jam, yang dua kali lebih tinggi dari data 2 bit yang dapat diproses oleh memori DDR tradisional. Peningkatan memori DDR2 yang lain ialah ia menggunakan pembungkusan FBGA dan bukannya kaedah TSOP tradisional.
Namun, walaupun memori DDR2 menggunakan kelajuan teras DRAM yang sama dengan DDR, kita masih harus menggunakan motherboard baru untuk memadankan memori DDR2 kerana spesifikasi fizikal DDR2 tidak sesuai dengan DDR. Pertama, antara muka berbeza. DDR2 mempunyai 240 pin, sementara memori DDR mempunyai 184 pin. Kedua, voltan VDIMM memori DDR2 adalah 1.8V, yang juga berbeza dengan memori DDR 2.5V.
Di samping itu, kerana standard DDR2 menetapkan bahawa semua memori DDR2 dikemas dalam FBGA, tidak seperti pakej TSOP / TSOP-II yang kini banyak digunakan, pakej FBGA dapat memberikan prestasi elektrik dan pelesapan haba yang lebih baik, yang merupakan memori DDR2 yang stabil. Kerja dan pengembangan frekuensi masa depan memberikan asas yang kukuh. Mengingat perkembangan DDR, dari generasi pertama DDR200 yang digunakan untuk komputer peribadi melalui DDR266, DDR333 hingga teknologi DDR400 dwi-saluran hari ini, pengembangan DDR generasi pertama telah mencapai had teknologi, dan sukar untuk diperbaiki ingatan melalui kaedah konvensional. Dengan perkembangan teknologi pemproses terkini Intel, bas sisi depan memerlukan lebar jalur memori yang lebih tinggi dan lebih tinggi, dan memori DDR2 dengan frekuensi operasi yang lebih tinggi dan stabil akan menjadi trend umum.
Sebelum memahami banyak teknologi baru memori DDR2, pertama-tama mari kita melihat sekumpulan data yang membandingkan teknologi DDR dan DDR2.
1) Masalah kelewatan:
Seperti yang dapat dilihat dari jadual di atas, di bawah frekuensi teras yang sama, frekuensi operasi sebenar DDR2 adalah dua kali ganda daripada DDR. Ini disebabkan oleh fakta bahawa memori DDR2 mempunyai dua kali kemampuan membaca sebelumnya dari memori BDR standard 4BIT. Dengan kata lain, walaupun DDR2, seperti DDR, menggunakan kaedah asas pengiriman data pada masa yang sama dengan penundaan kenaikan jam dan penundaan jatuh, DDR2 mempunyai kemampuan DDR dua kali untuk membaca data perintah sistem. Dengan kata lain, di bawah frekuensi operasi 100MHz yang sama, frekuensi DDR sebenarnya adalah 200MHz, sementara DDR2 dapat mencapai 400MHz.
Dengan cara ini, masalah lain timbul: dalam memori DDR dan DDR2 dengan frekuensi operasi yang sama, latensi memori yang terakhir adalah lebih lambat daripada yang sebelumnya. Sebagai contoh, DDR 200 dan DDR2-400 mempunyai kelewatan yang sama, sementara yang terakhir mempunyai dua kali lebar jalur. Sebenarnya, DDR2-400 dan DDR 400 mempunyai lebar jalur yang sama, keduanya 3.2GB / s, tetapi frekuensi operasi teras DDR400 adalah 200MHz, dan frekuensi operasi teras DDR2-400 adalah 100MHz, yang bermaksud kelewatan DDR2 -400 Ia lebih tinggi daripada DDR400.
2) Penjanaan enkapsulasi dan haba:
Terobosan terbesar teknologi memori DDR2 sebenarnya bukan kerana pengguna berfikir dua kali kapasiti transmisi DDR, tetapi dengan penjanaan haba dan penggunaan kuasa yang lebih rendah, DDR2 dapat mencapai peningkatan frekuensi dan penembusan yang lebih cepat. Had DDR standard 400MHZ.
Memori DDR biasanya dibungkus dalam cip TSOP. Pakej ini dapat berfungsi dengan baik pada 200MHz. Apabila frekuensi lebih tinggi, pin panjangnya akan menghasilkan impedans tinggi dan kapasitansi parasit, yang akan mempengaruhi prestasinya. Kesukaran kestabilan dan peningkatan frekuensi. Inilah sebabnya mengapa sukar bagi frekuensi teras DDR untuk menerobos 275MHZ. Dan memori DDR2 menggunakan bentuk pakej FBGA. Berbeza dengan pakej TSOP yang kini banyak digunakan, pakej FBGA memberikan prestasi elektrik yang lebih baik dan pelesapan haba, yang memberikan jaminan yang baik untuk operasi memori DDR2 yang stabil dan pengembangan frekuensi masa depan.
Memori DDR2 menggunakan voltan 1.8V, yang jauh lebih rendah daripada 2.5V standard DDR, sehingga memberikan penggunaan kuasa yang lebih kecil dan lebih sedikit panas. Perubahan ini sangat ketara.
2. Teknologi baru yang diguna pakai oleh DDR2:
Selain perbezaan yang disebutkan di atas, DDR2 juga memperkenalkan tiga teknologi baru, iaitu OCD, ODT dan Post CAS.
OCD (Pemacu Off-Chip): Ini adalah penyesuaian pemacu luar talian yang disebut. DDR II dapat meningkatkan integriti isyarat melalui OCD. DDR II menyesuaikan nilai rintangan pull-up / pull-down untuk menjadikan kedua voltan sama. Gunakan OCD untuk meningkatkan integriti isyarat dengan mengurangkan kecondongan DQ-DQS; meningkatkan kualiti isyarat dengan mengawal voltan.
ODT: ODT adalah perintang penamatan teras terbina dalam. Kami tahu bahawa sebilangan besar perintang penghentian diperlukan pada motherboard menggunakan DDR SDRAM untuk mengelakkan isyarat dipantulkan di terminal baris data. Ini sangat meningkatkan kos pembuatan papan induk. Sebenarnya, modul memori yang berbeza mempunyai keperluan yang berbeza untuk litar penamatan. Saiz resistor penamatan menentukan nisbah isyarat dan reflektifiti garis data. Sekiranya rintangan penamatan kecil, pantulan isyarat garis data rendah tetapi nisbah isyarat-ke-bising juga rendah; Sekiranya rintangan penamatan tinggi, nisbah isyarat-ke-bising dari garis data akan tinggi, tetapi pantulan isyarat juga akan meningkat. Oleh itu, rintangan penamatan pada motherboard tidak dapat menandingi modul memori dengan sangat baik, dan ia akan mempengaruhi kualiti isyarat sehingga tahap tertentu. DDR2 dapat membina perintang penamatan yang sesuai mengikut ciri-cirinya sendiri, untuk memastikan bentuk gelombang isyarat terbaik. Menggunakan DDR2 bukan sahaja dapat mengurangkan kos motherboard, tetapi juga mendapatkan kualiti isyarat terbaik, yang tidak dapat ditandingi oleh DDR.
Poskan CAS: Ini diatur untuk meningkatkan kecekapan penggunaan memori DDR II. Dalam operasi Pasca CAS, isyarat CAS (baca / tulis / perintah) dapat dimasukkan satu pusingan jam selepas isyarat RAS, dan perintah CAS dapat tetap berlaku setelah penundaan tambahan (Latency Tambahan). TRCD asal (RAS ke CAS dan kelewatan) digantikan oleh AL (Latency Tambahan), yang dapat diatur dalam 0, 1, 2, 3, 4. Oleh kerana isyarat CAS diletakkan satu pusingan jam selepas isyarat RAS, maka ACT dan isyarat CAS tidak akan bertembung.
Secara umum, DDR2 menggunakan banyak teknologi baru untuk memperbaiki banyak kekurangan DDR. Walaupun pada masa ini mempunyai banyak kekurangan dari segi kos tinggi dan kependaman lambat, ia dipercayai bahawa dengan peningkatan dan peningkatan teknologi yang berterusan, masalah ini akhirnya akan dapat diselesaikan. .
produk kami yang lain:
